第11回研究会 & 意見交換会「透明アモルファス酸化物半導体 (TAOS) の新たな展開 ＋ 若手研究者発表」(2025年 1月24日: 2024年度第4回)

【日時】 2025 年 1 月 24 日 (金)
　研究会　　　　13:00～17:50
　意見交換会　　18:00～19:00

【場所】
　研究会：　　　東京大学 工学部5号館1階52号講義室、およびオンライン (ZOOM)
　意見交換会：　東京大学 工学部2号館展示室

【プログラム (敬称略)】
　1. 13:00~13:05 「開会挨拶」委員長 神谷 利夫
　2. 13:05~13:50 「IGZO開発～最近の研究；ロジックデバイスに向けたP型等 (仮)」
　　　　　　　　　　野村 研二 (カリフォルニア大学サンディエゴ校)
　3. 13:50~14:35 「酸化物半導体メモリ (仮)」
　　　　　　　　　　Jae Kyeong Jeong (Hanyang University)

　 　14:35~14:50　Coffee Break

　4. 14:50~15:35 「IGZOメモリ応用に関する研究成果報告、ロジック・メモリ半導体としてのIGZOへの期待 (仮)」
　　　　　　　　　　小林 正治 (東京大学) 　
　5. 15:35~16:05 「ALDとスパッタ成膜の違い、各種材料添加効果 (仮)」
　　　　　　　　　　髙橋 崇典 (奈良先端大学)

　 　16:05~16:20　Coffee Break

　6. 16:20~16:35 「若手講演会①：ガスクロミズムによるSm薄膜の水素化／脱水素化反応による熱スイッチの
　　　　　　　　　　開発」
　　　　　　　　　　上野 美紀 (青山学院大学)
　7. 16:35~16:50 「若手講演会②：室温 – 400^oCにおけるアモルファスIn-Ga-Zn-O薄膜トランジスタの特性
　　　　　　　　　　評価と欠陥分布解析」
　　　　　　　　　　清水 篤 (東京科学大学)
　8. 16:50~17:05 「若手講演会③：Microstructures of MBE-Grown AlN on N-polar Sputtered and
　　　　　　　　　　Annealed AlN templates」
　　　　　　　　　　林 侑介 (物質・材料研究機構)
　9. 17:05~17:20 「若手講演会④：ケミカルリフトオフを用いた深紫外透明導電薄膜の自立膜化」
　　　　　　　　　　小幡 知仁 (東京都立大学)
　10. 17:20~17:35 「若手講演会⑤：Reactive HiPIMS deposition of vanadium oxides using peak
　　　　　　　　　　current regulated process control」
　　　　　　　　　　Joshua Chen (東京都立大学)
　11. 17:35~17:50 「若手講演会⑥：水素化触媒金属電極を利用した低接触抵抗IGZO-TFTへのアプローチ」
　　　　　　　　　　辻 昌武 (東京科学大学)